MODULO IGBT BSM75GB120DN2 INFINEON (USADO)


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Descrição Geral

MODULO IGBT BSM75GB120DN2 INFINEON (USADO)

Fabricante:Infineon

Categoria de Produto:Módulos IGBT

RoHS:N

Produtos:Módulos de silicone IGBT

Configuração:Meia Ponte

Coletor - Tensão do Emissor VCEO Máx .:1200 V

Tensão de saturação do coletor-emissor:2,5 V

Corrente de coletor contínua a 25 C:105 A

Corrente de vazamento do emissor-porta:320 nA

Pd - Dissipação de energia:625 W

Embalagem / Caixa:Meia Ponte 1

Temperatura Mínima de Operação:- 40 C

Temperatura máxima de operação:+ 150 C

Embalagem:Bandeja

Altura:30,5 mm

Comprimento:94 mm

Tecnologia:Si

Largura:34 mm

Marca:Infineon Technologies

Estilo de montagem:Montagem do Chassi

Tensão máxima do emissor da porta:20 V

Tipo de Produto: Módulos IGBT

Pagamento

Detalhes

Marca: Infineon Referência: 2790