Descrição Geral
MODULO IGBT FF100R12RT4 EUPEC_INFINEON (USADO)
Fabricante:Infineon
Categoria de Produto:Módulos IGBT
RoHS: Detalhes
Produtos:Módulos de Silício IGBT
Tensão do Coletor-Emissor VCEO Max:1200 V
Tensão de saturação coletor-emissor:2 V
Corrente de fuga do emissor-portão:100 nA
Pd - Dissipação de Potência:555 Watts
Temperatura Mínima de Operação:- 40ºC
Temperatura Máxima de Operação:+ 150ºC
Embalagem:Bandeja
Marca:Tecnologias Infineon
Tensão Máxima do Emissor da Porta:20 V
Tipo de Produto:Módulos IGBT
Series: Vala/Parada de Campo IGBT4 - T4