TRANSISTOR GT50J101 TOSHIBA


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Descrição Geral

TRANSISTOR GT50J101 TOSHIBA

Designador de tipo: GT50J101

Tipo: IGBT

Tipo de canal IGBT: N

Pc? - Dissipação máxima de potência: 200 W

|Vce|? - Tensão máxima coletor-emissor: 600 V

|Vge|? - Tensão máxima porta-emissor: 20 V

|Ic|? - Corrente máxima coletor: 50 A @25?

|VCEsat| ? - Tensão de saturação coletor-emissor, típica: 3 V @25?

Tj? - Temperatura máxima de junção: 150 ?

tr? - Tempo de subida, típico: 300 nS

Pagamento

Detalhes

Marca: Toshiba Referência: 3782