Descrição Geral
TRANSISTOR GT50J101 TOSHIBA
Designador de tipo: GT50J101
Tipo: IGBT
Tipo de canal IGBT: N
Pc? - Dissipação máxima de potência: 200 W
|Vce|? - Tensão máxima coletor-emissor: 600 V
|Vge|? - Tensão máxima porta-emissor: 20 V
|Ic|? - Corrente máxima coletor: 50 A @25?
|VCEsat| ? - Tensão de saturação coletor-emissor, típica: 3 V @25?
Tj? - Temperatura máxima de junção: 150 ?
tr? - Tempo de subida, típico: 300 nS