Descrição Geral
TRANSISTOR IGBT K04T60 IKP04N60T INFINEON
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: IGBTs
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Embalagem / Caixa: TO-220-3
Estilo de montagem: Orifício passante
Configuração: Solteiro
Tensão coletor-emissor VCEO máx.: 600 V
Tensão de saturação coletor-emissor: 1,5 V
Tensão máxima do emissor de porta: - 20 V, 20 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 8 UMA
Pd - Dissipação de potência: 42 W
Temperatura mínima de operação: - 40 C
Temperatura máxima de operação: + 175 C
Série: Trincheira IGBT3
Embalagem: Tubo
Marca: Tecnologias Infineon
Corrente de fuga do emissor-porta: 100nA
Altura: 9,25 milímetros
Comprimento: 10 milímetros
Tipo de produto: Transistores IGBT