Descrição Geral
TRANSISTOR MOSFET TO220 110N20N IPP110N20N3 INFINEON
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFETs
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício passante
Embalagem / Caixa: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 200 V
Id - Corrente de Dreno Contínua: 88 UMA
Rds On - Resistência Dreno-Fonte: 9,9 mOhms
Vgs - Tensão de porta-fonte: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensão de limiar de porta-fonte: 2 V
Qg - Taxa de portão: 87 nC
Temperatura mínima de operação: - 55 C
Temperatura máxima de operação: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 300 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: OptiMOS
Embalagem: Tubo
Marca: Tecnologias Infineon
Configuração: Solteiro
Tempo de Outono: 11 ns
Transcondutância direta - Mín: 71 S
Altura: 15,65 milímetros
Comprimento: 10 milímetros
Tipo de produto: MOSFETs
Tempo de subida: 26 ns
Série: OptiMOS 3