TRANSISTOR MTP2P50E ON SEMICONDUCTOR

TRANSISTOR MTP2P50E ON SEMICONDUCTOR

Fabricante: ON SEMICONDUCTOR

Categoria de produto:MOSFET

RoHS:N

Tecnologia:E

Estilo de montagem:Através do orifício

Caixa / Gabinete:TO-220-3

Polaridade do transistor:Canal P

Número de canais:1 canal

Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:500 V

Id - Corrente de drenagem contínua:2A

Rds On - Fonte de drenagem na resistência:6 Ohms

Vgs - Voltagem de porta e fonte:- 20 V, + 20 V

Temperatura operacional mínima:- 55ºC

Temperatura operacional máxima:+ 150ºC

Pd - Dissipação de potência:75 watts

Modo de canal:Aprimoramento

Embalagem:Tubo

Marca:tudo

Configuração:solteiro

Tempo de queda:19 ns

Transcondutância em avanço - Mín:0,5 S

Altura:9,28 milímetros

Comprimento:10,28 milímetros

Tipo de Produto:MOSFET

Tempo de ascensão:14 ns

Subcategoria:MOSFETs

Tipo de transistor:1 canal P

Tipo:MOSFET

Tempo de retardo de desligamento típico:21 ns

Tempo típico de ativação/retardo : 12 ns