TRANSISTOR P12NB30 | STP12NB30 STMICROELECTRONICS

TRANSISTOR P12NB30 | STP12NB30 STMICROELECTRONICS

Fabricante: STMicroelectronics

Categoria de Produto:MOSFET

RoHS:N

Tecnologia:Si

Embalagem / Caixa:TO-220-3

Polaridade do transistor:Canal N

Número de canais:1 canal

Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem:300 V

Id - Corrente de drenagem contínua:12 A

Rds On - Resistência da Fonte de Drenagem:400 mOhms

Vgs - Tensão da fonte de porta:- 30 V, + 30 V

Temperatura Mínima de Operação:- 65 C

Temperatura Máxima de Operação:+ 150 C

Pd - Dissipação de energia:125 W

Modo de canal:Aprimoramento

Marca:STMicroelectronics

Tempo de outono:10 ns

Tipo de Produto:MOSFET

Tempo de subida:8 ns

Series: STP12NB30