Descrição Geral
TRANSISTOR 2N3584
Fabricante: Central Semiconductor
Categoria de produto:Transistores bipolares de junção - BJT
RoHS: Detalhes
Estilo de montagem:Através do orifício
Caixa / Gabinete:TO-66
Polaridade do transistor:NPN
Configuração:solteiro
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor:250 V
Coletor VCBO de voltagem básica:375 V
Emissor - VEBO de tensão de base:6 V
Tensão de saturação do coletor - emissor:750 mV
Corrente do coletor DC máxima:2A
Pd - Dissipação de potência:35 W.
Produto fT da largura de banda de ganho:10MHz
Temperatura operacional mínima:- 65ºC
Temperatura operacional máxima:+ 200ºC
Embalagem:Tubo
Marca:Semicondutor central
Tensão do coletor contínua:2A
Coletor DC/Ganho base hfe Min:8
hFE máx. de ganho de corrente DC:80
Tipo de Produto: BJTs - Transistores bipolares