TRANSISTOR 2N5655 NATIONAL

TRANSISTOR 2N5655 NATIONAL

Fabricante: National

Categoria de Produto:Transistores Bipolares - BJT

RoHS:N

Estilo de montagem:Através do orifício

Embalagem / Caixa:TO-225-3

Polaridade do transistor:NPN

Configuração:Solteiro

Coletor - Tensão do Emissor VCEO Máx .:250 V

Coletor - Tensão Base VCBO:275 V

Emissor - Tensão Base VEBO:6 V

Tensão de saturação do coletor-emissor:1 V

Corrente máxima do coletor DC:0,5 A

Pd - Dissipação de energia:20 W

Produto de ganho de largura de banda fT:10 MHz

Temperatura Mínima de Operação:- 65 C

Temperatura Máxima de Operação:+ 150 C

Embalagem:Volume

Marca:onsemi

Corrente de coletor contínua:0,5 A

Coletor DC / Ganho de base hfe Min:25

Altura:11,04 mm

Comprimento:7,74 mm

Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares