Descrição Geral
TRANSISTOR 2N6790 INFINEON
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto:MOSFET
RoHS:N
Tecnologia:Si
Estilo de montagem:Através do orifício
Pacote / Estojo:TO-205AF-3
Polaridade do transistor:Canal N
Número de canais:1 canal
Vds - Tensão de ruptura da fonte de dreno:200 V
Vgs - Tensão Porta-Fonte:- 20 V, + 20 V
Temperatura Mínima de Operação:- 55ºC
Temperatura Máxima de Operação:+ 150ºC
Pd - Dissipação de Potência: 800 mW