TRANSISTOR K31N60W5 | TK31N60W5 TOSHIBA

TRANSISTOR K31N60W5 | TK31N60W5 TOSHIBA

Fabricante:Toshiba

Categoria de produto:MOSFET

RoHS: Detalhes

Tecnologia:E

Estilo de montagem:Através do orifício

Caixa / Gabinete:TO-247-3

Polaridade do transistor:Canal N

Número de canais:1 canal

Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:600 V

Id - Corrente de drenagem contínua:30,8A

Rds On - Fonte de drenagem na resistência:82 mOhms

Vgs - Voltagem de porta e fonte:- 30 V, + 30 V

Tensão de limite porta e fonte:4,5 V

Qg - Carga na porta:105 nC

Temperatura operacional mínima:- 55ºC

Temperatura operacional máxima:+ 150ºC

Pd - Dissipação de potência:230 W.

Modo de canal:Aprimoramento

Nome comercial:DTMOSIV

Embalagem:Tubo

Marca:Toshiba

Configuração:solteiro

Altura:20,95 milímetros

Comprimento:15,94 milímetros

Tipo de Produto:MOSFET

Série:TK31N60W

30

Subcategoria:MOSFETs

Tipo de transistor:1 canal N

Largura: 5,02 milímetros