Descrição Geral
TRANSISTOR SMD D²PAK F640NS | IRF640NS INTERNATIONAL RECTIFIER
Fabricante: International Rectifier
Categoria de produto:MOSFET
Tecnologia:E
Estilo de montagem:SMD/SMT
Caixa / Gabinete:TO-263-3
Polaridade do transistor:Canal N
Número de canais:1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:200 V
Id - Corrente de drenagem contínua:18A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:150 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:- 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte:2 V
Qg - Carga na porta:44,7 nC
Temperatura operacional mínima:- 55ºC
Temperatura operacional máxima:+ 175ºC
Pd - Dissipação de potência:150 W.
Modo de canal:Aprimoramento
Embalagem:Carretel
Embalagem:Cortar fita
Embalagem:MouseReel
Marca:Infineon / RI
Configuração:solteiro
Tempo de queda:5,5 ns
Transcondutância em avanço - Mín:6,8 S
Altura:2,3 milímetros
Comprimento:6,5 milímetros
Tipo de Produto:MOSFET
Tempo de ascensão: 19 ns