Descrição Geral
TRANSISTOR NDP6060 NATIONAL
Fabricante: National
Categoria de produto:MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia:E
Estilo de montagem:Através do orifício
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Polaridade do transistor:Canal N
Número de canais:1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:60 V
Id - Corrente de drenagem contínua:48A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:25 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:- 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte:2 V
Qg - Carga na porta:70 nC
Temperatura operacional mínima:- 65ºC
Temperatura operacional máxima:+ 175ºC
Pd - Dissipação de potência:100 W.
Modo de canal:Aprimoramento
Embalagem:Tubo
Marca:onsemi / Fairchild
Configuração:solteiro
Tempo de queda:77 ns
Altura:16,3 milímetros
Comprimento:10,67 milímetros
Tipo de Produto:MOSFET
Tempo de ascensão:145 ns
Série:NDP6060
800
Subcategoria:MOSFETs
Tipo de transistor:1 canal N
Tipo:MOSFET
Tempo de retardo de desligamento típico:28 ns
Tempo típico de ativação/retardo :10 ns
Largura:4,7 milímetros
Aliases de núm de peça: NDP6060_NL